Việc phát minh ra bóng bán dẫn đã cách mạng hóa ngành công nghiệp điện tử, những thiết bị khiêm tốn này được sử dụng rộng rãi như các thành phần chuyển mạch trong hầu hết các thiết bị điện tử. Bóng bán dẫn và công nghệ bộ nhớ hiệu suất cao như RAM được sử dụng trong chip máy tính để xử lý và lưu trữ thông tin. Nhưng cho đến ngày nay, chúng không thể được kết hợp với nhau hoặc đặt gần nhau hơn vì các đơn vị bộ nhớ được làm từ vật liệu Ferro Electro và các bóng bán dẫn được làm từ silicon, một vật liệu bán dẫn.
Các kỹ sư của Đại học Purdue đã phát triển một cách để làm cho các bóng bán dẫn lưu trữ thông tin. Họ đã đạt được điều này bằng cách giải quyết vấn đề kết hợp bóng bán dẫn với RAM điện tử. Sự kết hợp này không thể thực hiện sớm hơn do các vấn đề xảy ra trong giao diện của vật liệu silicon và Ferro Electric, do đó RAM luôn hoạt động như một bộ phận riêng biệt, hạn chế khả năng làm cho máy tính hiệu quả hơn nhiều.
Một nhóm do Peide Ye đứng đầu, Richard J. và Mary Jo Schwartz, Giáo sư Kỹ thuật Điện và Máy tính tại Purdue đã khắc phục vấn đề này bằng cách sử dụng chất bán dẫn có đặc tính Ferro Electro để cả hai thiết bị đều có bản chất Ferro Electro và chúng có thể dễ dàng sử dụng cùng nhau. Thiết bị bán dẫn mới được gọi là Transistor hiệu ứng trường bán dẫn Ferro điện.
Transistor mới được chế tạo bằng vật liệu được gọi là “Alpha Indium Selenide” không chỉ có đặc tính Ferro Electric mà còn giải quyết một trong những vấn đề lớn về vật liệu Ferro điện hoạt động như một chất cách điện do dải tần rộng. Nhưng khác biệt, Alpha Indium Selenide có dải tần nhỏ hơn khi so sánh với các vật liệu Ferro điện khác, cho phép nó hoạt động như một chất bán dẫn mà không làm mất đi các đặc tính Ferro Electro. Các bóng bán dẫn này đã cho thấy hiệu suất tương đương với các bóng bán dẫn hiệu ứng trường Ferro điện hiện có.