Tập đoàn lưu trữ & thiết bị điện tử Toshiba đã giới thiệu GT20N135SRA, một IGBT rời 1350V cho nồi IH để bàn, nồi cơm điện IH, lò vi sóng và các thiết bị gia dụng khác sử dụng mạch cộng hưởng điện áp. IGBT có điện áp bão hòa bộ thu-phát là 1,75V và điện áp chuyển tiếp của diode là 1,8V, thấp hơn tương ứng 10% và 21% so với sản phẩm hiện tại.
Cả IGBT và diode đều có đặc tính suy hao dẫn điện được cải thiện ở nhiệt độ cao (T C = 100 ℃) và IGBT mới có thể giúp giảm tiêu thụ điện năng của thiết bị. Nó cũng có khả năng chịu nhiệt 0,48 ℃ / W thấp hơn khoảng 26% so với các sản phẩm hiện tại cho phép thiết kế nhiệt dễ dàng hơn.
Đặc điểm của GT20N135SRA IGBT
- Suy hao dẫn điện thấp:
VCE (sat) = 1.6V (typ.) (@ IC = 20A, VGE = 15V, Ta = 25 ℃)
VF = 1.75V (typ.) (@ IF = 20A, VGE = 0V, Ta = 25 ℃)
- Điện trở nhiệt giữa mối nối với trường hợp thấp: Rth (jC) = 0,48 ℃ / W (tối đa)
- Ngăn chặn dòng điện ngắn mạch chạy qua tụ điện cộng hưởng khi thiết bị được bật.
- Khu vực hoạt động an toàn rộng rãi
IGBT mới có thể triệt tiêu dòng điện ngắn mạch chạy qua tụ điện cộng hưởng khi thiết bị được bật. Giá trị đỉnh hiện tại của mạch là 129A, giảm khoảng 31% so với sản phẩm hiện tại. GT20N135SRA làm cho thiết kế của thiết bị trở nên dễ dàng hơn khi so sánh với các sản phẩm tương tự khác hiện nay do vùng hoạt động an toàn của nó được mở rộng. Để biết thêm chi tiết về GT20N135SRA, hãy truy cập trang web chính thức của Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.